本文摘要：三星3DV-NAND立体填充存储器行业著称，而且早已堆到了难以置信的48层，工艺精美，不过据《MBS亚洲评论》报导，东芝正在谋划多达64层的NAND存储器，比三星多三分之一！ 7月15日，东芝举行了日本三重县四日市(Yokkaichi)半导体二厂的落成仪式，并透漏将在此生产48层填充存储器，并计划2016财年(累计到2017年3月底)内量产。

三星3DV-NAND立体填充存储器行业著称，而且早已堆到了难以置信的48层，工艺精美，不过据《MBS亚洲评论》报导，东芝正在谋划多达64层的NAND存储器，比三星多三分之一！　　7月15日，东芝举行了日本三重县四日市(Yokkaichi)半导体二厂的落成仪式，并透漏将在此生产48层填充存储器，并计划2016财年(累计到2017年3月底)内量产。　　这种存储器的成本和价格不会较为低，但是因为容量可以做到的更大，平均价格反而不会更加低廉，可用作从智能手机、固态硬盘到数据中心等各种领域，初期主要供应持续增长的数据中心。　　只不过，东芝在今年春天就早已开始生产48层存储器了，并预计2017财年3D存储器将占到其总生产能力的50％，2018财年突破80％。

　　三星则可能会在2017年下半年落成坐落于韩国京畿道平泽市的新工厂，生产自己的64层存储器，但官方仍未具体表态。

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